Memrystorowo-tranzystorowa hybryda
27 listopada 2008, 13:00Podczas Memristor and Memristor System Symposium, które odbyło się w Berkeley, zademonstrowano pierwszy w historii układ będący połączeniem memrystorów z tranzystorami.
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.
Nadchodzi azotek galu
11 maja 2015, 12:46Kalifornijska firma Efficient Power Conversion jest pierwszą, która zaoferowała tranzystory mocy wykonane z azotku galu w cenie niższej niż tranzystory z krzemu. To pierwszy przypadek, gdy urządzenie ma wysoką wydajność i jest tańsze niż jego krzemowy odpowiednik. Azotek galu przejął pałeczkę - mówi Alex Lidow, prezes firmy.
Prąd z ludzkiego ciepła
29 sierpnia 2007, 08:54Już wkrótce termin bezproduktywne siedzenie może przejść do lamusa. Wszystko za sprawą naukowców z Instytutu Fraunhofera, którzy opracowali technologię, pozwalającą na uzyskiwanie energii elektrycznej z ciepła ludzkiego ciała.
Przełączanie gorącego nadprzewodnika
7 lipca 2011, 10:53Gorące nadprzewodniki można włączać i wyłączać w ciągu biliardowych części sekundy. Naukowcy z University of Oxford i Instytutu Maksa Plancka z Uniwersytetu w Hamburgu stworzyli ultraszybki przełącznik nadprzewodnikowy.
Nanorurki jak flash
27 stycznia 2009, 19:10Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania.
Wiedzą, jak zbadać molibdenit
22 kwietnia 2013, 16:41Disiarczek molibdenu (MoS2), występujący często w postaci molibdenitu to, jak niejednokrotnie informowaliśmy, niezwykle obiecujący materiał. Ma wiele właściwościo podobnych do grafenu, a że, w przeciwieństwie do niego, posiada przerwę energetyczną, może być bez większych przeszkód używany w elektronice.
Wzór z komórki
26 lutego 2010, 12:15Pomimo gwałtownego rozwoju techniki tworzone przez nas urządzenia są pod wieloma względami niezwykle prymitywne w porównaniu z tym, co stworzyła natura. Dlatego też Rahul Sarpeshkar z MIT-u próbuje stworzyć podstawy projektowe dla przyszłych elektronicznych obwodów scalonych wzorując się na komórkach ludzkiego ciała.
Obwody elektroniczne wewnątrz żywych roślin
24 listopada 2015, 11:59Szwedzcy naukowcy stworzyli wewnątrz żywych roślin analogowe i cyfrowe obwody elektroniczne.
« poprzednia strona następna strona » … 4 5 6 7 8 9 10 11
